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首頁(yè) > 產(chǎn)品中心 >   >  冷熱沖擊試驗(yàn)箱  >  LQ-TS-512品質(zhì)部用冷熱循環(huán)試驗(yàn)箱 冷熱沖擊試驗(yàn)箱

品質(zhì)部用冷熱循環(huán)試驗(yàn)箱 冷熱沖擊試驗(yàn)箱

簡(jiǎn)要描述:品質(zhì)部用冷熱循環(huán)試驗(yàn)箱適用于電子電器零組件、通訊組件、自動(dòng)化零部件、汽車(chē)配件、化學(xué)材料、金屬、塑膠等行業(yè)、航天、國(guó)防工業(yè)、BGA、兵工業(yè)、PCB基扳、電子芯片IC、半導(dǎo)體陶磁及高分子材料之物對(duì)高、低溫的反復(fù)抵拉力及產(chǎn)品處于熱脹冷縮的物理環(huán)境產(chǎn)出的化學(xué)變化或物理傷害,可確認(rèn)各種產(chǎn)品的品質(zhì),從精密的IC到重機(jī)械的組件,無(wú)一不需要它,目前此設(shè)備是工業(yè)產(chǎn)業(yè)共認(rèn)的理想測(cè)試工具。

  • 產(chǎn)品型號(hào):LQ-TS-512
  • 廠(chǎng)商性質(zhì):生產(chǎn)廠(chǎng)家
  • 更新時(shí)間:2023-12-13
  • 訪(fǎng)  問(wèn)  量:686
詳情介紹

品質(zhì)部用冷熱循環(huán)試驗(yàn)箱適用于電子電器零組件、通訊組件、自動(dòng)化零部件、汽車(chē)配件、化學(xué)材料、金屬、塑膠等行業(yè)、航天、國(guó)防工業(yè)、BGA、兵工業(yè)、PCB基扳、電子芯片IC、半導(dǎo)體陶磁及高分子材料之物對(duì)高、低溫的反復(fù)抵拉力及產(chǎn)品處于熱脹冷縮的物理環(huán)境產(chǎn)出的化學(xué)變化或物理傷害,可確認(rèn)各種產(chǎn)品的品質(zhì),從精密的IC到重機(jī)械的組件,無(wú)一不需要它,目前此設(shè)備是工業(yè)產(chǎn)業(yè)共認(rèn)的理想測(cè)試工具。

品質(zhì)部用冷熱循環(huán)試驗(yàn)箱執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn):

GB/T 10592-2008 高低溫試驗(yàn)箱技術(shù)條件;

GB/T 2423.1-2008 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) 第2部分:試驗(yàn)方法 試驗(yàn)A:低溫 (IEC 60068-2-1:2007, IDT);

GB/T 2423.2-2008 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) 第2部分:試驗(yàn)方法 試驗(yàn)B:高溫 (IEC 60068-2-2:2007, IDT);

GB/T 2423.22-2012 環(huán)境試驗(yàn) 第2部分:試驗(yàn)方法 試驗(yàn)N:溫度變化 (IEC 60068-2-14:2009, IDT);

GJB 150.3-86 設(shè)備環(huán)境試驗(yàn)方法 第3部分 高溫試驗(yàn);

GJB/T 150.4-86 設(shè)備環(huán)境試驗(yàn)方法 第4部分 低溫試驗(yàn);

GJB/T 150.5-86 設(shè)備環(huán)境試驗(yàn)方法 第5部分 溫度沖擊試驗(yàn)。

技術(shù)參數(shù):

1.內(nèi)箱尺寸:W800mm*H800mm*D800mm(柳沁可根據(jù)顧客需要做出更多合適尺寸的設(shè)備)。

2.外箱尺寸:以實(shí)際尺寸為標(biāo)準(zhǔn)。

3.高溫槽預(yù)熱溫度范圍:+60℃~200℃。

4.升溫時(shí)間: +60℃~200℃≤30min。

5.低溫槽預(yù)冷溫度范圍: -75~-10℃。

6.降溫時(shí)間: +20℃~-75℃≤60min;﹙注:降溫時(shí)間為低溫槽單獨(dú)運(yùn)轉(zhuǎn)時(shí)的性能)。

7.試驗(yàn)方式: 氣動(dòng)風(fēng)門(mén)切換。

8.溫度沖擊范圍: ﹙+60℃~+150℃﹚/﹙-65℃~-10℃﹚ 。

9.溫度波動(dòng)度: ±0.5℃ 。

10.溫度偏差: ±2.0℃ 。

11.溫度恢復(fù)時(shí)間: ≤5分鐘。

12.試樣限制:本實(shí)驗(yàn)設(shè)備禁止易爆、易燃、易揮發(fā)性物質(zhì)試樣的試驗(yàn)或儲(chǔ)存;腐蝕性物質(zhì)試樣的試驗(yàn)或儲(chǔ)存。

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